一个老工程师初识FRAM的心声
2009-06-03 12:51
看了大家写的一些关于FRAM的博客，自己也忍不住想发表些浅显的看法。
总结些FRAM的应用优势就是常常有需要保存一点数据的情况，而且要求掉电也也不能丢数据。从前成熟的做法是用电池或大电容给SRAM后备，但电池有维护的麻烦，电容都后备器件有限，而且两者都较占空间。能永久保存数据的flash现在很便宜了，但擦除写入是以块为单位的，少量存取不方便；近年崛起的EEPROM能按字节存取，它容量比flash小得多，但数据量不大的情况下是足够了。不过EEPROM需要很长的写入时间，比如每字节6～10ms，当然ms级对人来说没什么感觉。
FRAM的数据保存特性跟EEPROM相像，也是永久性的，但它可以像SRAM那样瞬间被写入。
因此可以认为是：FRAM把SRAM和EEPROM两者的优点结合起来了。
现在有一种情况：假如系统需要在检测出掉电时，紧急保存数据的话，
EEPROM？每字节6～10ms——一般的电路保存不了1、2个字节系统就已经死掉，所以，这时候将是FRAM的最好的用武之地。
此前俺做过一个用FPGA的小玩意儿，要求掉电时保存3
byte数据。FPGA耗电30mA，从检测出掉电到FPGA的最低工作电鸭，即4.2V→3V，经反复计算，用个300uF的电容来保证3
byte写入EEPROM都有点儿悬。
做完之后才从网上看到有FRAM这么个东东，挺后悔没选用它的。从那时起就开始关注这种器件了，不过还没机会实际用过。现在这个产品上焊的是470uF电容。可惜两种器件不是引脚兼容的，否则俺就可以省掉这个大电容了。
幸亏俺只需存3 byte，要是必须存几十、几百个数据，那就只有FRAM这条出路了，否则要么是加电池。
现在大电容通常是两种：铝电解或钽电解。
铝电解的寿命相对于其他电子器件较短，因产品寿命是由最短寿命的器件决定的，所以在高要求的设计中不喜欢用电解。
钽电解的特性不错，但有个缺点，即损坏时往往是短路的，这就可能殃及其他电路，因此有些设计不允许用钽电解。
既然铝电解、钽电解都有不尽人意之处，不如换成不需要大电容的FRAM，烦恼也就消解了。
这个是对有人认为FRAM还比较贵，不如用EEPROM+大电解的观点说的。
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