记忆电阻
在这篇文章中小编我将会给大家介绍一种新型的电子元器件记忆电阻。它是一个非常细小的开关元件，可以最终改变计算机类设备对于存储数据的方式。从理论上来 说，新的的半导体制程工艺技术，让NAND型闪存芯片记忆体取代了DRAM内存和传统的HDD机械硬盘。然而NAND受限于物理定律和原子的直径我们很难 在小小的闪存芯片中集成更多的存储单元了。但是忆阻器的出现或许会成为NAND型闪存的继承人。
美国科学家宣布电子电路存在第四种基本元件——记忆电阻（简称忆阻）
在1971年，非线性电路理论先驱、美国加利福尼亚大学伯克利分校的华裔科学家蔡少堂就从理论上预言，除电容、电感和电阻之外，电子电路还应该存在第四种 基本元件——忆阻。实际上，忆阻是一种具有记忆功能的非线性电阻，可通过电流的变化控制其阻值的变化，如果将忆阻的高阻值和低阻值分别定义为１和０，就可 以通过二进制的方式来存储数据。
如今，美国惠普公司实验室的斯坦·威廉斯和同事在进行极小型电路实验时终于制造出忆阻的实物模型。威廉斯等人在新一期英国《自然》杂志上撰文说，他们像制 作三明治一样将一层纳米级的二氧化钛半导体薄膜夹在由铂制成的两个金属薄片之间。这些材料都是标准材料，制作忆阻的窍门是使其组成部分只有５纳米大小，也 就是说仅相当于人的一根头发丝的１万分之一那么细。
科学家指出，只有在纳米尺度上，忆阻的工作状态才可以被察觉到。他们希望这种新元件能够给计算机的制造和运行方式带来革命性变革。科学家说，用忆阻电路制 造出的计算机将能“记忆”先前处理的事情，并在断电后“冻结”这种“记忆”。这将使计算机可以反复立即开关，因为所有组件都不必经过“导入”过程就能即刻 回复到最近的结束状态。
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